重离子辐照CMOS图像传感器导致的永久损伤效应

摘要: 互补型金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器有着体积小，质量轻，功耗低，高集成度等特点正逐步取代CCD图像传感器，在空间辐射环境中有着质子，重粒子，γ射线，电子等大量的高能粒子，CMOS图像传感器会受到重离子的辐射效应并对其有着永久损伤的影响。本文主要是针对CMV4000在重离子辐照下的永久损伤机制。CMV4000在经过重离子辐照过后其图像有着明显的热像素（暗电流尖峰高于其他像素暗电流尖峰数倍通常表现为该像素的灰度值是其他正常像素的数倍），在下一帧图像以及后续图像中热像素也并不会消失，因此热像素并不是暂时的。本文还将考虑 CMOS图像传感器在辐照前后各像参数的对比并揭示各项参数的退化机理。