分类: 天文学 >> 天文学 提交时间: 2019-07-30 合作期刊: 《天文研究与技术》
摘要: 经过十余年的不断建设和发展,中国虚拟天文台(China-VO)已成为支撑天文学观测、研究、教学的重要技术和资源平台。随着多信使天文学和时域天文学时代的到来,虚拟天文台也需要升级自身的核心能力,以给天文工作者提供更精准的服务和技术支撑。为此,中国虚拟天文台团队结合天文学的发展方向和信息技术发展趋势梳理了一份核心技术需求清单,并以问卷的形式针对领域内专家和用户开展了调研。通过对调研结果的统计和分析,中国虚拟天文台明确了未来一段时期的主要努力方向和目标,计划采用平台化的开发模式,并开放第三方开发接口,以吸引更多感兴趣的开发者基于虚拟天文台资源做出实用的工具,更好地实现资源与技术向服务的快速转换。
分类: 天文学 >> 天文学 提交时间: 2019-07-09 合作期刊: 《天文研究与技术》
摘要: 随着多波段时域天文学的快速发展,远程天文台逐渐显露出优势,成为时域天文学研究的重要工具。然而,国内还没有自主、成熟、稳定的系统可以应用到远程天文台的建设当中,为此中国虚拟天文台提出并设计了一套硬件集成系统以便于集成控制和扩展移植。电源模块是其中重要的组成部分,实现电源的集成控制将极大提升整个系统的稳定性。本文设计了一个闭环的电源集成控制模块,通过嵌入式技术实现了天文台各设备电源的集成控制、平顶的开关控制以及各个设备状态的监测,并提供多种控制模式。通过发送随机网络指令对该模块进行了24小时的连续测试,并测试了网络中断情况下短消息的控制。通过发送与监测数据的对比,结果表明系统具有良好的稳定性。
分类: 生物学 >> 生物工程 提交时间: 2017-07-24 合作期刊: 《中国生物工程杂志》
摘要: 目的:构建一个IRES序列介导的多基因共表达载体,实现两个目的基因和筛选标记基因共用一个启动子高效表达,提高多基因稳定共表达细胞株的筛选效率。方法:以实验室前期构建的载体pLV-MCS-Puro为骨架,设计并全基因合成双基因克隆表达元件,连接到骨架载体,构建多基因共表达载体pLV-2MCS-Puro,以DsRed2和EGFP荧光蛋白基因验证该载体用于多基因稳定共表达细胞株筛选的效率。结果:成功构建了pLV-2MCS-Puro载体以及DsRed2和EGFP共表达重组质粒pLV-DsRed2-EGFP-Puro。瞬时转染实验证明该载体能介导多基因共表达。抗性筛选获得了MDCK和Hela两种细胞的多基因稳定共表达细胞池。细胞池涂片荧光显微镜观察和计数表明抗性细胞池DsRed2和EGFP双阳率接近100%。基因组和转录水平PCR及蛋白免疫印迹实验表明DsRed2和EGFP稳定整合到抗性细胞基因组并且两种蛋白表达水平较为一致。结论:成功构建了多基因共表达载体pLV-2MCS-Puro,实现了两个目的基因和抗性基因串联共表达,并且具有高效的多基因稳定共表达细胞株筛选效率。该载体在研究蛋白相互作用以及工程细胞构建等方面具有一定的应用前景。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10
摘要: 采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备摘要:采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了 AlN成核层的厚度对 GaN 外延层的影响。对 AlN 的测试表明,AlN 的表面粗糙度随着厚度增加而变大。对 GaN 的测试表明,所有 GaN 样品在垂直方向处于压应变状态,并且随 AlN 厚度增加而略有减弱。GaN 的(0002) ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着 AlN 成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12) ω扫描的峰值半宽随着厚度增加而有所下降。(10-12) ω扫描的峰值半宽与 GaN 的刃型穿透位错密度相关。说明 AlN 成核层的厚度较大时,会降低刃型穿透位错密度,并减弱 c 轴方向的压应变状态。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10
摘要: 摘要:在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 AlN 和GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN 缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对 GaN 外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明,相同生长时间内 AlN 的厚度随着 H2流量的增加而增加,即 H2流量增加会导致 AlN 的生长速率提高。原子力显微镜测试表明,随着 H2 流量的增加,AlN 表面粗糙度也呈上升趋势。对 GaN 的测试表明,随着 AlN 生长时的 H2流量增加,GaN 的(0002)和(10-12)的峰值半宽增加,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于 AlN 缓冲层厚度较大,导致 GaN 的晶体质量有所下降。实验表明,采用较低的 H2 流量生长 AlN 缓冲层可以控制 AlN 的生长速率,在一定程度上有助于提高 GaN 的晶体质量。