分类: 核科学技术 >> 核探测技术与核电子学 提交时间: 2024-05-21
摘要: 为了适配闪烁体与硅光电倍增管(Silicon photomultiplier, SiPM)耦合探测器的不同应用场景,设计了基于OPA855芯片的跨阻放大器(Transimpedance Amplifier, TIA)和电压反馈放大器(Voltage Feedback Amplifier, VFB)。跨阻放大器的带宽为101MHz低于电压反馈放大器的381MHz,但其基线噪声 σnoise≅ 448.32μV优于电压反馈放大器的 σnoise≅ 680.96μV。实验结果表明:两类前置放大器均可提供高带宽和低输入噪声,并用于SiPM不同的输出模式。室温下,采用SiPM耦合掺铈钆铝镓石榴石(Cerium-doped Gadolinium Aluminum Gallium Garnet, GAGG(Ce))探头对 241Am源进行信号测量,分析了SiPM标准输出脉冲和快输出脉冲的影响因素和适用场景。