您选择的条件: 潘炀烜
  • 基于D-Be紧凑型快中子源硼中子的慢化整形研究

    分类: 核科学技术 >> 粒子加速器 提交时间: 2024-06-06

    摘要: 硼中子俘获治疗是一种细胞尺度内强靶向性与高传能线密度的二元放射疗法,具有治疗周期短、对周围健康组织损伤小等优势,是一种具有广阔前景的癌症治疗方法。在BNCT装置中,束流整形组件的作用是将中子源产生的快中子束慢化至超热中子能区(0.5 eV< E<10 keV),并保证中子方向性。本文使用蒙特卡罗模拟程序GEANT4以及FLUKA模拟9Be(d,n)10B反应中子源产生及后续中子慢化。采用1.45 MeV、30 mA的氘束轰击9 μm的薄铍靶,由该反应产生的中子作为源项,对BSA进行了可行性方案设计。结果表明:采用45 cm厚的BiF3和5 cm厚的TiF3组合慢化层,12 cm厚的Pb反射层,11 cm厚的Al2O3补充慢化层,以及0.1 mm厚的Cd热中子吸收层,保证出口处的γ成分、快中子成分、Φepi/Φth以及Φepi/Φfast符合IAEA所推荐的建议值。本研究得出了低能氘束与薄铍靶的中子谱及BSA具体设计方案,为D-Be中子源中子的慢化整形提供了数据参考,为D-Be源进一步优化研究提供支持。

  • 一价铜离子掺杂无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6对晶体结构和电学性能影响第一性原理模拟研究

    分类: 核科学技术 >> 核科学与技术 提交时间: 2024-04-08

    摘要: 无铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6作为环境友好型材料受到了核辐射探测领域的广泛关注,实验上发现对Cs2AgBiBr6进行Cu+掺杂能够显著提高材料稳定性与光电转换率。目前Cu+掺杂Cs2AgBiBr6的影响还未得到理论系统研究,本文基于第一性原理,采用密度泛函,开展了Cu+掺杂Cs2AgBiBr6对结构和电学性能影响的模拟研究。研究结果表明,Cu+掺杂会提高Cs2AgBiBr6的稳定性。掺杂形成的Cs2Ag1-xCuxBiBr6与原始材料Cs2AgBiBr6皆为间接带隙半导体,并随着Cu+掺杂比例提高能带间隙会显著缩短。根据态密度图分析,能带间隙缩短是由于Cu+掺杂会导致由Bi6p轨道主导的导带底部下移。Cs2Ag1-xCuxBiBr6相比Cs2AgBiBr6具有更高的稳定性与更优的电学性能,可作为半导体辐射探测器的候选材料。