AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析

Subjects: Materials Science >> Nanoscience and Nanotechnology submitted time 2016-12-23

于国浩 蔡勇 王越 赵德胜 曾春红 侯克玉 董志华 张宝顺

Abstract：AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在导通电阻增加的现象[1,2]。目前可以有效降低动态导通电阻的方法有：场板结构[3,4]和AlN介质层[5]等。本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层（Si3N4）与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅。在动态下工作时,顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步。在器件关态时，顶栅电极加0V偏置；在器件开态时，顶栅电极加正电压。顶栅在器件开态下所加正电压越大，器件的动态导通电阻越小。

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