分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2016-12-22
摘要: 以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高摘要:以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点。当 GaN 基功率晶体管应用到大功率开关电路中时,为了电路的设计简单和安全方面考虑,一般要求开关器件具有常关特性即需要器件为增强型器件。通过 Ar离子注入实现具有工艺简单、重复性好、稳定可控的优点。本实验通过调整 Ar 离子注入能量、剂量来研究 Ar 离子注入能否实现增强型HEMT器件,同时研究了 LP-SiNx作为能量阻挡层的效果。实验发现 Ar离子注入能实现增强型,但存在着饱和电流小的问题,退火能够修复损伤,一定程度上提高饱和电流。而采用LP-SiNx作为能量阻挡层,可以减小损伤,饱和电流相对提高,但存在着回滞的问题。作为增强型实现方法,Ar离子注入尚需进一步研究并改进。
分类: 核科学技术 >> 核科学技术其他学科 提交时间: 2024-05-07
摘要: 智能剥离技术(Smart-Cut)是一种利用离子注入和晶片键合来转移超薄单晶层的技术。在先进微电子系统中,智能剥离技术作为半导体材料异质异构集成的重要技术手段之一,受到了学界和行业的广泛关注。智能剥离技术是在半导体材料表面单一注入或共注入氢、氦离子,并调控注入工艺参数(能量、温度、注量、注量率、注入顺序等),将半导体材料和衬底材料在低温下键合后,再进行退火(温度、时间、速率),使注入层内产生平行表面的微裂纹,从而实现层转移。本论文总结了近二十年第一、二、三、四代半导体智能剥离技术研究进展,分析了微观缺陷和微裂纹生长机制,探究了不同材料的剥离阈值差异原因,为理解和掌握智能剥离技术提供了参考,对利用智能剥离技术制备半导体器件有重要意义。
分类: 地球科学 >> 空间物理学 提交时间: 2016-05-13
摘要: TC-2卫星上的中性原子成像仪(NUADU)在2005年5月15日磁暴期间(并伴随有系列亚暴事件)记录了反映环电流离子连续变化的能量中性原子(ENA)图像探测数据. 比较由中性原子图像反演的4 min时间分辨的环电流离子空间分布与地球同步轨道LANL系列卫星(环绕赤道面~6.6 R_E)上同步轨道粒子分析仪(LANL-SOPA)原位离子通量探测数据, 以及相同高度的同步系列卫星GOES的磁场数据, 发现环电流区离子通量增长发生在磁力线尾向拉伸的亚暴增长相阶段, 而不是发生在磁场偶极化之后. 这一发现挑战了以往的环电流离子注入是磁场偶极化时由磁尾直接注入的概念, 但仍需更多的观测实例进一步认证.