分类: 材料科学 >> 材料科学(综合) 提交时间: 2023-03-31 合作期刊: 《材料研究学报》
摘要: 采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度。制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定。基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,空穴主导了初始阶段的腐蚀,空穴的迁移与消耗过程就是孔径扩张和孔壁形成的过程,该过程与硅片本身的性能密切相关,与氢离子浓度无关,故孔径基本恒定;氢离子浓度的提高加快氢的置换反应直至平衡,从而使反应总速率提高直至恒定,因此孔深先线性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范围内与孔深的变化吻合呈现上升趋势,且键合形式以Si-H2为主。
分类: 材料科学 >> 材料科学(综合) 提交时间: 2016-11-15 合作期刊: 《金属学报》
摘要: 本文采用磁控共溅射Ru和MoC靶制备非晶RuMoC薄膜。分别采用四探针仪(FPPT)、X射线光电子能谱仪(XPS)和小角掠射X射线衍射仪(GIXRD)表征不同组分RuMoC单层薄和Cu/RuMoC/p-SiOC:H/Si多层膜的电阻率、微观结构和成分随退火温度的演变规律。结果表明:通过调控Ru膜中掺入Mo和C元素的含量能够实现RuMoC合金薄膜微结构设计及抑制膜体残余氧含量,且当MoC和Ru靶的溅射功率为0.5时获得的薄膜RuMoC II性能最好;500℃退火后非晶RuMoC II薄膜中Mo-C和Ru-C化学键百分含量变化不大,高温下两者协同作用抑制了Ru基薄膜再结晶和膜体氧含量升高,是Cu/RuMoC II/p-SiOC:H/Si多层膜系在500℃温度下具有优异热稳定性和电学性能的主要机制。本文研究结果证实了非晶RuMoC薄膜有望用作下一代先进无籽晶铜扩散阻挡层。