分类： 土木建筑工程 >> 建筑材料 提交时间： 2021-09-25
摘要： 将生物质发电厂所产废弃稻壳灰代替部分水泥加入到混凝土中，制备出一种新型的电厂稻壳灰（Electric Power Plant-Rice Husk Ash,简称E-RHA）混凝土（E-RHA-C），进行了E-RHA-C力学性能及经历210d Na2SO4侵蚀及105次干湿Na2SO4溶液循环耐久性能试验，结合其宏观力学和物理参数、微观形态对E-RHA增强混凝土力学强度、抗硫酸盐侵蚀能力进行机理分析，并利用能量转化方法对E-RHA-C耐久性进行损伤评价，得到相应的本构模型。结果表明：普通混凝土中掺入适量稻壳灰矿物掺合料，能够有效提高力学性能，但混凝土力学性能增加过程的稳定性逐渐降低。随着硫酸盐龄期增加，E-RHA-C试件逐渐局部剥落、体积膨胀；力学性能、相对动弹性模量先提高后急剧下降，有效孔隙率先降低后提高，E-RHA-C中骨料周围的界面区破坏程度远小于普通混凝土，体现出较好的耐侵蚀性。硫酸盐侵蚀E-RHA-C前期对试件力学性能的增强主要表现在总应变能、耗散能的提升，E-RHA-C塑性及延性变形提高。而在第二阶段，E-RHA-C逐渐体现出峰值应力和延性降低、脆性破坏明显现象。基于统计损伤理论和耗散能，建立了E-RHA-C的耐久性损伤本构模型。
分类： 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间： 2017-01-10
摘要： 采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备摘要：采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了 AlN成核层的厚度对 GaN 外延层的影响。对 AlN 的测试表明，AlN 的表面粗糙度随着厚度增加而变大。对 GaN 的测试表明，所有 GaN 样品在垂直方向处于压应变状态，并且随 AlN 厚度增加而略有减弱。GaN 的(0002) ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着 AlN 成核层厚度增加而略有升高，GaN(10-12) ω扫描的峰值半宽随着厚度增加而有所下降。(10-12) ω扫描的峰值半宽与 GaN 的刃型穿透位错密度相关。说明 AlN 成核层的厚度较大时，会降低刃型穿透位错密度，并减弱 c 轴方向的压应变状态。
分类： 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间： 2017-01-10
摘要： 摘要:在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 AlN 和GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN 缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对 GaN 外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明，相同生长时间内 AlN 的厚度随着 H2流量的增加而增加，即 H2流量增加会导致 AlN 的生长速率提高。原子力显微镜测试表明，随着 H2 流量的增加，AlN 表面粗糙度也呈上升趋势。对 GaN 的测试表明，随着 AlN 生长时的 H2流量增加，GaN 的(0002)和(10-12)的峰值半宽增加，即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于 AlN 缓冲层厚度较大，导致 GaN 的晶体质量有所下降。实验表明，采用较低的 H2 流量生长 AlN 缓冲层可以控制 AlN 的生长速率，在一定程度上有助于提高 GaN 的晶体质量。
分类： 天文学 >> 天文学 提交时间： 2016-11-16
摘要： 本文提出了一种天象厅环境下的座席区设计方法，该方法将天象厅中的观众体验感分为五类，将感官体验量化，分别进行数学建模，然后将五个模型根据比重综合，得到天象厅中体验感的数学模型，对其进行分析得出较优的座席区范围，并引入偏转角变量设计了固定座席区与旋转座席区。并针对天象厅超大垂直面视野设计了一种座椅，该座椅能舒适地为观众提供较大的仰角观看节目
分类： 材料科学 >> 材料科学（综合） 提交时间： 2016-11-04 合作期刊: 《金属学报》
摘要： 本文利用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了Mn1.2Fe0.8P0.76Ge0.24磁制冷材料，并采用SEM观察烧结样品的显微组织，利用中子衍射、超导量子干涉磁强计(SQUID)、差示扫描量热仪(DSC)及X射线衍射(XRD)等手段对其相变过程及磁热性能进行了研究。研究结果表明：烧结样品显微组织均匀致密，Mn1.2Fe0.8P0.76Ge0.24化合物具有六方Fe2P型晶体结构。外加磁场和温度的变化都可以引起材料的磁热相变，即顺磁相与铁磁相之间的可逆一级相变。材料的磁熵变与相转变的程度有密切关系，随着外加磁场的增大或温度的降低，合金由顺磁相向铁磁相转变，从而使材料磁熵变增大，分析发现材料的磁熵变大小与相转变过程中发生转变的相变百分比是直接对应的，温度诱导相变与磁场诱导相变所得结果一致。
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