您选择的条件: 朱建军
  • 儿童期不可预测性可以预测青年发展表现吗?

    分类: 心理学 >> 发展心理学 提交时间: 2021-12-15

    摘要: 本系统综述旨在生命史理论视角下探讨儿童期的环境不可预测性对青年发展表现的预测作用。方法: 检索建库至 2021 年 11 月 8 日 Web of Science、ProQuest、SpringerLink、PubMed、ScienceDirect、中国知网、 维普和万方数据库中生命史理论领域儿童期的环境不可预测性和青年发展表现的相关文献,进行提取和编 码。文献纳入标准为经过同行评议、纵向研究或者回溯研究、包含环境不可预测性和青年发展表现的测量, 进行文献筛查,22 篇文献符合纳入标准。结果:儿童期环境不可预测性越高,青年时期繁殖相关的消极发 展表现(生殖发育、浪漫关系和育儿特征)越突出;儿童期环境不可预测性对青年身心健康、社会适应、 认知功能、人格特质和问题行为方面也会有不同影响。结论:儿童期的环境不可预测性可以预测青年发展 表现,预测效应可能存在敏感期,且具有性别差异和个体差异。未来除了继续关注环境风险的客观影响之 外,还应该关注个体对环境风险的主观感知,同时应注重中国文化背景下儿童的环境不可预测性的概念和 测量的本土化。另外,对可能打破此类消极发展表现代际循环的保护性因子(如气质、心理韧性)的研究 就尤为重要。

  • AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响

    分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10

    摘要: 采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备摘要:采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了 AlN成核层的厚度对 GaN 外延层的影响。对 AlN 的测试表明,AlN 的表面粗糙度随着厚度增加而变大。对 GaN 的测试表明,所有 GaN 样品在垂直方向处于压应变状态,并且随 AlN 厚度增加而略有减弱。GaN 的(0002) ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着 AlN 成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12) ω扫描的峰值半宽随着厚度增加而有所下降。(10-12) ω扫描的峰值半宽与 GaN 的刃型穿透位错密度相关。说明 AlN 成核层的厚度较大时,会降低刃型穿透位错密度,并减弱 c 轴方向的压应变状态。

  • AlN生长时H2载气流量对外延GaN的影响

    分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10

    摘要: 摘要:在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 AlN 和GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN 缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对 GaN 外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明,相同生长时间内 AlN 的厚度随着 H2流量的增加而增加,即 H2流量增加会导致 AlN 的生长速率提高。原子力显微镜测试表明,随着 H2 流量的增加,AlN 表面粗糙度也呈上升趋势。对 GaN 的测试表明,随着 AlN 生长时的 H2流量增加,GaN 的(0002)和(10-12)的峰值半宽增加,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于 AlN 缓冲层厚度较大,导致 GaN 的晶体质量有所下降。实验表明,采用较低的 H2 流量生长 AlN 缓冲层可以控制 AlN 的生长速率,在一定程度上有助于提高 GaN 的晶体质量。