分类: 天文学 >> 天文学 提交时间: 2020-01-06 合作期刊: 《天文研究与技术》
摘要: 氢原子钟作为一种精密的授时守时仪器,在科学研究与工程应用中发挥着重要作用,但目前我国原子钟还存在设备故障、可靠性差等问题。为了简化技术人员排查流程、提升维修效率,文章提出了一种采用机器学习方法,将氢钟历史运行数据作为训练样本,结合DBSCAN及人工神经网络算法得到氢钟诊断模型,从而大幅简化故障排查过程的方法。实验中将训练好的模型部署到嵌入式设备上,并把实时预判结果给技术人员作为参考,证实了这种方法的可行性及有效性。
分类: 计算机科学 >> 计算机科学的集成理论 提交时间: 2018-05-20 合作期刊: 《计算机应用研究》
摘要: 迭代最近点(ICP)算法由于其配准精度很高,通常运用于点云的精配准,但其配准精度和迭代收敛性取决于待配准点云的初始位置。提出一种将遗传算法和空间分布熵相融合的空间最优变换矩阵求解算法,以一种新的点云空间位置评价方法——空间分布熵作为遗传算法的目标函数,采用遗传算子指导解的搜索方向,通过新种群的不断迭代达到空间分布熵最小,结束后对最优个体解码实现点云的粗配准。实验表明,该算法有效可行,克服了传统方法在有点云缺陷和噪声点时不能提供很好的初始拼接位置的问题,在误差允许的范围内,可以直接实现点云拼接。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2016-12-23
摘要: AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象[1,2]。目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构[3,4]和AlN介质层[5]等。本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层(Si3N4)与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅。在动态下工作时,顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步。在器件关态时,顶栅电极加0V偏置;在器件开态时,顶栅电极加正电压。顶栅在器件开态下所加正电压越大,器件的动态导通电阻越小。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2016-12-22
摘要: 以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高摘要:以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点,成为当前功率器件研究的热点。当 GaN 基功率晶体管应用到大功率开关电路中时,为了电路的设计简单和安全方面考虑,一般要求开关器件具有常关特性即需要器件为增强型器件。通过 Ar离子注入实现具有工艺简单、重复性好、稳定可控的优点。本实验通过调整 Ar 离子注入能量、剂量来研究 Ar 离子注入能否实现增强型HEMT器件,同时研究了 LP-SiNx作为能量阻挡层的效果。实验发现 Ar离子注入能实现增强型,但存在着饱和电流小的问题,退火能够修复损伤,一定程度上提高饱和电流。而采用LP-SiNx作为能量阻挡层,可以减小损伤,饱和电流相对提高,但存在着回滞的问题。作为增强型实现方法,Ar离子注入尚需进一步研究并改进。