分类： 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间： 2016-12-23
摘要： AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在导通电阻增加的现象[1,2]。目前可以有效降低动态导通电阻的方法有：场板结构[3,4]和AlN介质层[5]等。本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层（Si3N4）与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅。在动态下工作时,顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步。在器件关态时，顶栅电极加0V偏置；在器件开态时，顶栅电极加正电压。顶栅在器件开态下所加正电压越大，器件的动态导通电阻越小。
分类： 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间： 2016-12-22
摘要： 以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高摘要：以 AlGaN/GaN HEMT为代表的 GaN基功率晶体管由于具有宽带隙、高工作结温、高击穿场强和高电子迁移率等优点，成为当前功率器件研究的热点。当 GaN 基功率晶体管应用到大功率开关电路中时，为了电路的设计简单和安全方面考虑，一般要求开关器件具有常关特性即需要器件为增强型器件。通过 Ar离子注入实现具有工艺简单、重复性好、稳定可控的优点。本实验通过调整 Ar 离子注入能量、剂量来研究 Ar 离子注入能否实现增强型HEMT器件，同时研究了 LP-SiNx作为能量阻挡层的效果。实验发现 Ar离子注入能实现增强型，但存在着饱和电流小的问题，退火能够修复损伤，一定程度上提高饱和电流。而采用LP-SiNx作为能量阻挡层，可以减小损伤，饱和电流相对提高，但存在着回滞的问题。作为增强型实现方法，Ar离子注入尚需进一步研究并改进。
点击量
待评议
点击量
下载量
评论
