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金掺杂降低碳纳米管接触电阻的实验研究

Submit Time: 2017-11-21
Author: 刁加加, 1 ; 常春蕊, 1 ; 张志明, 1 ; 张好强, 1 ; 孙红婵, 1 ; 安立宝 1 ;
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降低与金属之间的接触电阻是碳纳米管在微纳电子领域获得应用的前提,掺杂金纳米粒子可有效降低碳纳米管的接触电阻。本文采用高温焙烧在碳纳米管表面构造缺陷和亲水基团,然后将碳纳米管在氯金酸水溶液中超声浸泡以吸附氯金酸,再在氢气气氛下加热还原氯金酸为金。扫描电子显微(SEM)图片表明碳纳米管被成功地掺杂了金纳米粒子,X射线能量散射谱(EDS)和X射线光电子谱(XPS)表明金是唯一掺杂在碳纳米管上的粒子。掺杂后碳纳米管的拉曼光谱中G带波数降低说明对碳纳米管掺杂金为N型掺杂。N型掺杂剂将电子转移给邻近的碳原子,使碳纳米管中的电子数量增加,进而增强了碳纳米管的导电性。利用介电电泳法将碳纳米管组装到一对金电极之间,并使用精密电感电容电阻(LCR)测试仪实时测量。结果表明碳纳米管与金电极之间的接触电阻较掺杂前得到了有效改善,电阻值最大可降低近50%。

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Recommended references: 刁加加,,常春蕊,,张志明,,张好强,,孙红婵,,安立宝.(2017).金掺杂降低碳纳米管接触电阻的实验研究.材料研究学报.[ChinaXiv:201711.02640] (Click&Copy)
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[V1] 2017-11-21 17:25:21 chinaXiv:201711.02640V1 Download
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